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友达第6代生产线试制出使用微晶Si-TFT 32英寸液晶面板
友达第6代生产线试制出使用微晶Si-TFT 32英寸液晶面板

友达光电(AUO)使用由第6代大尺寸底板生产线的等离子CVD装置形成的微晶硅,试制出了32英寸电视用TFT液晶面板。该公司在展会上展出了这种新面板,并在研讨会上介绍了其技术内容。
 

 
    与非晶硅(a-Si)TFT相比,采用微晶Si-TFT有可能获得更高的迁移率。另外,还可实现用多晶硅(p-Si)TFT难以实现的、基于第5代以后大尺寸底板的工艺。使用微晶硅制成的TFT,只需等离子CVD工序即可形成,而且近年来其在薄膜太阳能电池领域的应用也越来越广泛,这些都推动了微晶Si-TFT的开发。
 
    在硅氮化膜上形成微晶硅时,通过实施真空中的界面处理,可消除界面附近产生的多孔质层,得到平滑的膜。通过拉曼(Raman)分光分析后显示,这种平滑膜的结晶度达到60%,与不进行界面处理时的17%相比,有大幅改善。应力试验的结果也表明,与不进行界面处理时相比,获得了更稳定的特性。
 
    在此次试制中,迁移率仍较低,仅为0.5cm2·V-1·s-1,但该公司今后将力争实现比a-Si更高的迁移率,并同时集成外围电路。目前面临的课题是进一步提高结晶度。
 
    友达光电在展会上展出了使用这种微晶硅制成的32英寸WXGA电视用TFT液晶面板。
 
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